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芯塔电子专利:改造SiC JEFT器材提高雪崩才能的未来科技

  在科技立异的浪潮中,安徽芯塔电子科技有限公司正在为半导体职业注入新动力。2024年12月,该公司申请了名为“一种改进雪崩才能的SiC JEFT器材及其制作办法”的专利(公开号CN119698046A),这一发展引发了业界的广泛重视。

  此次创造的中心在于其共同的规划,通过在一个沟槽中一起安置源区和栅区,并设定不同的掺杂深度,以增强器材的可靠性。详细而言,源区的第二类型掺杂区结深度更深,这使得在关断状态下,最大电场会定位在源区的结边际,从而让雪崩电流通过源区的欧姆触摸进入源极,而无需再通过栅极。这一立异不只提高了SiC JEFT器材的可靠性,还为高功率使用和电力电子的稳定性供给了强有力的支撑。

  作为一家成立于2020年的新式企业,安徽芯塔电子科技有限公司现在已经成为科技推广与使用服务职业的佼佼者。到现在,该企业具有专利信息40条,显示出其在研制立异方面的继续投入和潜力。

  跟着电子设备对高性能半导体的需求日渐增加,芯塔电子这一项突破性技能或许会为未来的电子科技类产品拓荒新的商场,甚至在更广泛的科技生态中发挥重要人物。咱们等待这场科技革新将怎么推进职业革新,重塑未来。回来搜狐,检查更加多

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